Компания Samsung официально анонсировала второе поколение QLC NAND (по версии Samsung — это V-NAND V5), на котором реализован твердотельный накопитель 870 QVO с SATA-интерфейсом. Несмотря на улучшения, связанные с использованием 96-слойной памяти V-NAND V5, устройство демонстрирует привычную стабильность при записи больших объемов данных за пределами области TurboWrite-кэш, что остается ахиллесовой пятой современной архитектуры SSD, не отслеживаемой, к сожалению, стандартным тестовым ПО.

Память QLC NAND, используемая в Samsung 870 QVO, предполагает более высокую плотность и низкие долгосрочные затраты на хранение одного бита информации, что должно удешевлять такие продукты, как SSD-накопители и карты памяти. Однако, как известно, ячейки QLC NAND более медленные и менее долговечные, чем их прямой предшественник — флеш-память TLC.
По сравнению с 860 QVO, где применялась 64-слойная память QLC NAND и контроллер Samsung MJX, реинкарнация SATA-накопителя представлена контроллером Samsung MKX, который оперирует с ячейками 96-слойный QLC NAND. Контроллер устройства 870 QVO маркируется как S4LR059. Хотя Samsung и не раскрывает подробности его архитектуры, предполагается, что он должен использовать улучшенный алгоритм исправления ошибок AES-256, TCG/Opal V2.0, шифрование IEEE1667 и сборку мусора (Auto Garbage Collection).

Микросхемы V-NAND V5 маркируются K9XVGB8J1A, что свидетельствует об их 96-слойном исполнении (некоторые источники предполагали даже 128-слойную упаковку NAND). Буфер динамической памяти LPDDR4 объемом 4 ГБ расположен в непосредственной близости контроллера Samsung MKX.
TurboWrite, как технология SLC-кэш
Минимальный размер Intelligent TurboWrite по сравнению с предыдущим поколением SSD увеличился вдвое: с 3ГБ до 6 ГБ. Это фиксированная зона так называемого SLC-mode base, она всегда доступна пользовательским приложениям. Впрочем, минимальный объем SLC-кэш зависит от установок контроллера Samsung MKX и вполне вероятно может быть параметризован в прошивке устройства.
Если дисковое пространство, не занятое пользовательскими данными, достаточно велико, контроллер формирует динамический SLC-кэш объемом 36 ГБ для 1ТБ накопителя и 72 ГБ для 2-х терабайтного устройства. Суммарно, с учетом «неразменных» 6 ГБ пространство для маневра у Samsung 870 QVO выглядит более, чем внушительно: от 42 до 78 ГБ.

Такие характеристики обновленной модели Samsung QLC демонстрируют в тестах привычную стабильность и отсутствие значительных возмущений. Такое поведение устройства очень напоминает характер ранее протестированного накопителя PM871b и дает основания предположить, что внутренние сервисные операции Samsung 870 QVO, связанные с манипуляциями с SLC-mode base, умеренно конкурируют с обслуживанием текущих запросов хоста. В итоге, характеристики записи с учетом использования SLC-кеш у 870 QVO не демонстрируют сколько-нибудь заметного ускорения. Другими словами, новое поколение QLC NAND от Samsung не гарантирует никаких преимуществ в смысле производительности.