Optane

Intel готов на все, чтобы про­цес­со­ры ста­ли ос­нов­ным ис­точ­ни­ком до­хо­да. Ком­па­ния давно уже не вы­пус­ка­ет DRAM и по­э­то­му не ста­нет за­бо­тить­ся о ста­биль­нос­ти рын­ка ди­на­ми­че­ской па­мя­ти. Це­ны на Op­tane мо­гут кан­ни­ба­ли­зи­ро­вать про­да­жи DRAM и ни­шу клас­си­че­ских твер­до­тель­ных NAND SSD но­си­те­лей.

Для так называемых вычислений в па­мя­ти (In-Me­mo­ry Com­put­ing, IMC), ког­да, на­при­мер, ба­зы дан­ных пол­но­стью за­гру­жа­ют­ся в ОЗУ, а не хра­нят­ся на дис­ко­вых мас­си­вах, Wes­tern Di­gi­tal пред­ста­ви­ла но­вый про­дукт — Ultra­star DC ME200 Me­mo­ry Ex­ten­sion Dri­ve.

Гибридная технология внедрения Intel Optane в под­сис­те­му хра­не­ния дан­ных ста­ла по­пыт­кой при­ну­дить жить по об­щим за­ко­нам сам NVMe-ус­ко­ри­тель и со­пря­жен­ное с ним SATA-уст­ройст­во. При этом быст­рый SSD на PCIe-ши­не те­ря­ет в про­из­во­ди­тель­нос­ти, а мед­лен­ный жест­кий диск — в ста­биль­нос­ти. На этом, по­хо­же, и за­кон­чит­ся по­пыт­ка впрячь в од­ну те­ле­гу ко­ня и тре­пет­ную лань.

Разъем U.2 в настольном компьютере — событие интересное само по се­бе. Год назад говорить о нем стоило только как о серверной новации. Си­ту­а­цию кардинально оздоровил Intel. Оснащенный уни­вер­саль­ным разъ­е­мом накопитель Optane 900P — устройство на «быстрых ячейках» 3D XPoint — приблизил энтузиастов к достижениям твердотельной ре­во­лю­ции. Они (до­сти­же­ния) двигаются семимильными шагами из дата-цен­т­ров в на­прав­ле­нии домашних диванов с неотразимым доводом: не скупись, бери самое лучшее, а если сейчас не по карману — оцени про­из­во­ди­тель­ность с при­це­лом на будущее.

Во времена господства электромеханических устройств хранения дан­ных, влиянием вычислительной платформы на про­из­во­ди­тель­ность ди­сковых операций зачастую пренебрегали, поскольку глав­ные потери вре­ме­ни были обусловлены позиционированием маг­нит­ных головок и ожи­да­нием по­яв­ле­ния требуемого сектора. Стре­ми­тельная эволюция твер­до­тельных уст­ройств и появление, в част­но­сти, Intel Optane сделало дан­ный стереотип без­надежно ус­та­рев­шим.

Intel и Micron представили новейшую технологию 3D XPoint, работы над которой в условиях повышенной секретности продолжались более 10 лет. К 2012 году альянс вышел на производство опытных образцов новых элементов энергонезависимой памяти. Для этого на принадлежащем корпорации Micron Technology заводе в Бойсе (штат Айдахо) была запущена производственная линия. Технология 3D XPoint способна повысить скорость доступа к запоминающим устройствам, востребованным в различных цифровых сервисах, которые оперируют массивами информации. Память 3D XPoint впервые со времен выхода на рынок флеш-памяти NAND в 1989 г.позволяет создать новую категорию накопителей, отвечающих современным требованиям.