Производительность памяти

Успех экстремальных оверклокерских опытов зависит от фи­зи­че­ской вы­нос­ли­вос­ти компонентов платформы, стабильности пи­та­ю­щих на­пря­же­ний и эффективного отвода тепла. Кроме этого сле­ду­ет при­нять во вни­ма­ние ин­теллектуализацию разгона, главным инструментом которой, безусловно, яв­ля­ют­ся овер­кло­кер­ские профили (XMP). Записав в SPD-чип параметры для все­го ря­да экс­тре­маль­ных частот, производитель модуля, как эксперт, де­лит­ся сво­им бес­цен­ным опытом с энтузиастами.

Что лучше: Intel или AMD? Этому на­ив­но­му воп­ро­су при­мер­но столь­ко же лет, сколь­ко и PC плат­фор­ме. По­пыт­ка ре­шить такой спор, сфор­му­ли­ро­вав ис­ти­ну в по­след­ней ин­стан­ции, об­ре­че­на на про­вал. По­про­бу­ем все же оце­нить про­из­во­ди­тель­ность про­цес­со­ров за чашечкой кофе для не­ко­то­ро­го част­ного слу­чая, не­мно­го при­от­крыв за­ве­су над та­ин­ством бенч­мар­кин­га. Поможет нам в этом Java. Она возь­мет на себя задачу ма­те­ма­ти­че­ско­го расчета, а мы посмотрим, чем за­кон­чит­ся встреча дру­зей-соперников.

Технология синхронной ди­на­ми­че­ской па­мя­ти Double Data Rate объеди­ня­ет не­сколь­ко по­ко­ле­ний, ве­ду­щих свое на­ча­ло от DDR SDRAM. И хотя ее вре­мя уш­ло, ха­рак­те­рис­ти­ки ро­до­на­чаль­ни­ка бу­дут хо­ро­шим фо­ном для оцен­ки ны­неш­них до­сти­же­ний и, глав­ное, — пер­спек­тив.

В кинотеатр лучше идти, когда точно знаешь рас­пи­са­ние сеансов: с по­прав­кой на очередь в кассу ожи­да­ние просмотра мож­но за­мет­но со­кра­тить. Но все равно сеансы демонстрируются без учета желаний и воз­мож­но­стей зри­те­лей — в компьютерной технике события, про­ис­хо­дя­щие независимо друг от друга, называют асин­хрон­ны­ми.

Ключевой характеристикой оперативной памяти является ее про­из­во­ди­тель­ность. Цен­т­раль­ный про­цес­сор (CPU) не мо­жет по­лу­чить дан­ные в лю­бой на­пе­ред ука­зан­ный мо­мент вре­ме­ни. Это­му ме­ша­ет при­ро­да DRAM — за­по­ми­на­ющих эле­мен­тов, ис­поль­зу­е­мых в ар­хи­тек­ту­ре пер­со­наль­ных плат­форм. Ячей­ка ди­на­ми­че­ской па­мя­ти со­сто­ит из ключа (тран­зис­то­ра) и сфор­ми­ро­ван­ной в нем самом ем­кос­ти. Если ем­кость за­ря­же­на — ячей­ка хра­нит ло­ги­че­скую «еди­ни­цу», ес­ли раз­ря­же­на — «ноль».

Простейшим примером организации па­мя­ти яв­ля­ет­ся по­сто­ян­ное за­по­ми­на­ю­щее уст­рой­ст­во. В та­кой па­мяти с дол­го­вре­мен­ным хра­не­ни­ем ин­фор­ма­ции оп­ре­де­ля­ю­щим эле­мен­том слу­жат пе­ре­мыч­ки в дву­мер­ном мас­си­ве про­вод­ни­ков. Из­на­чаль­но все стро­ки и столб­цы со­е­ди­не­ны меж­ду со­бой с по­мощью пе­ре­мы­чек — то­ко­про­во­дя­щих мос­ти­ков.

Головоломка в виде сегментной модели доступа к оперативной памяти стала победителем в соревновании процессора iAPX86 со всеми глав­ны­ми и неглавными соперниками в разработке пер­во­го по-настоящему пер­со­наль­ного компьютера. «Некоторые счи­та­ют, что Intel 8088 был худ­шим выбором из имевшихся в то время 16-бит­ных ми­к­ро­про­цес­со­ров».

Статическая память, ис­поль­зу­ю­щая в ка­че­ст­ве ячей­ки хра­не­ния по­лу­­про­во­д­ни­ко­вый триг­гер — тран­зис­тор­ную схе­му с дву­мя ус­той­чи­вы­ми со­сто­я­ни­я­ми, вос­тре­бо­ва­на со­вре­мен­ны­ми про­цес­со­ра­ми в ка­че­стве сверх­о­пе­ра­тив­но­го за­по­ми­на­ю­ще­го уст­рой­ст­ва. В рус­ском язы­ке та­ко­му уст­рой­ст­ву со­от­вет­ст­ву­ет ус­то­яв­ши­йся тер­мин — кэш-память (от англ. cache — за­пас­ник).

Появление в персональных платформах оперативной памяти Rambus Di­rect RAM, гармонично дополненное ее последующим исчезновением, по праву считается одним из наиболее драматичных моментов развития IT-ин­ду­с­т­рии. С тех пор прошло более десяти лет и прямые ана­ло­гии меж­ду RDRAM и HBM неуместны. Ра­ди­каль­ные пе­ре­ме­ны в кон­струк­ции опе­ра­тив­ных за­по­ми­на­ю­щих устройств открывают «окно воз­мож­но­с­тей» для ком­па­нии, рас­по­ла­га­ю­щей багажом интеллектуальной соб­ствен­но­сти в тех­но­ло­ги­ях вза­и­мо­дей­ствия DRAM и управляющей ло­ги­ки.

Одним из критериев готовности вычислительной платформы к ус­та­нов­ке энергонезависимых модулей оперативной памяти (NVDIMM) яв­ля­ет­ся на­ли­чие линии питания +12V. Контакты, к которым может быть при­ло­же­но это напряжение, пред­ус­мо­три­тельно за­ре­зер­ви­ро­ваны уже в стан­дарте DDR4. Теперь у гиб­рид­ных DIMM-модулей есть резервный ис­точ­ник для со­хра­не­ния содержимого DRAM в энер­го­не­за­ви­си­мой па­мя­ти.