RAMBUS

Память Rambus, как показали тесты, ни в чем не усту­па­ла DDR SDRAM, а в ста­биль­но­с­ти та­ко­го па­ра­мет­ра как ла­тент­ность, она бы­ла да­же луч­шей. Низ­кие за­держ­ки и уд­во­ен­ная ско­рость пе­ре­да­чи дан­ных за счет так­ти­ро­ва­ния по двум фрон­там на­дол­го сде­ла­ли эту тех­но­ло­гию при­вле­ка­тель­ной для иг­ро­вых плат­форм Nin­ten­do и Sony Play­Station. Оце­нить пер­с­пек­ти­вы RDRAM мож­но вы­пол­нив ряд эк­спе­ри­мен­тов, де­мон­ст­ри­ру­ю­щих по­ве­де­ние кон­ку­рент­ных тех­но­ло­гий при раз­го­не, чем мы и зай­мем­ся.

Сравнение «на минималках» в оче­ред­ной раз да­ло по­вод счи­тать, что у ин­дус­т­рии па­мя­ти нет ра­зум­ных аль­тер­на­тив ре­ше­ни­ям, ми­ни­ми­зи­ру­ющим ши­ри­ну ши­ны и мак­си­ми­зи­ру­ю­щим час­то­ту пе­ре­да­чи, од­ним из пи­о­не­ров ко­то­рых была и остается Ram­bus. Мы по­счи­та­ли, что спус­тя 20 лет мож­но не­пред­взя­то оце­нить зна­чи­мость RDRAM, тес­ти­руя на рав­ных луч­шие из мо­ду­лей RIMM и, ес­ли не то­по­вые, то впол­не до­стой­ные DIMM-мо­ду­ли PC-2100.

В силу ограничений системной логики Intel Morgan Hill i865GV, срав­ни­тель­ное ис­сле­до­ва­ние ла­тен­т­но­с­ти мо­ду­лей па­мя­ти DDR и глав­но­го в ту по­ру кон­ку­рен­та — RDRAM, ока­за­лось все­го лишь ус­лов­ным ин­ди­ка­то­ром про­из­во­ди­тель­но­с­ти со­пер­ни­ча­ю­щих тех­но­ло­гий. В про­ве­ден­ном экс­пе­ри­мен­те, DDR ра­бо­та­ет на эф­фек­тив­ной час­то­те пе­ре­да­чи дан­ных 266 МГц. Умно­жив эту ве­ли­чи­ну на ко­ли­че­ст­во байт в од­ном ка­на­ле DDR (8) и ко­ли­че­ст­во ка­на­лов (2), по­лу­чим те­о­ре­ти­че­ский ли­мит про­пуск­ной спо­соб­но­с­ти для ши­ны опе­ра­тив­ной па­мя­ти — око­ло 4.2 GBPS.

Появление в персональных платформах оперативной памяти Rambus Di­rect RAM, гармонично дополненное ее последующим исчезновением, по праву считается одним из наиболее драматичных моментов развития IT-ин­ду­с­т­рии. С тех пор прошло более десяти лет и прямые ана­ло­гии меж­ду RDRAM и HBM неуместны. Ра­ди­каль­ные пе­ре­ме­ны в кон­струк­ции опе­ра­тив­ных за­по­ми­на­ю­щих устройств открывают «окно воз­мож­но­с­тей» для ком­па­нии, рас­по­ла­га­ю­щей багажом интеллектуальной соб­ствен­но­сти в тех­но­ло­ги­ях вза­и­мо­дей­ствия DRAM и управляющей ло­ги­ки.

По ряду объективных причин первым полигоном для испытания новых стан­дар­тов оперативной памяти становятся видео адаптеры. Судя по но­мен­кла­ту­ре уже выпущенных устройств, технология вертикальной ком­по­нов­ки кристаллов Through Silicon Via и стандарт High Bandwidth Memory не ста­нут исключением из такой закономерности. Было бы не­про­сти­тельным упу­ще­ни­ем выпустить из поля зрения столь важную ини­ци­а­ти­ву.